高一物理磁场提高试题

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第十六章磁场提高试题一、选择题1．关于安培力和洛伦兹力，如下说法中正确的是（）A．带电粒子在磁场中运动时，一定受到洛伦兹力作用B．放置在磁场中的通电导线，一定受到安培力作用C．洛伦兹力对运动电荷一定不做功D．洛伦兹力对运动电荷的冲量一定为零图16-9abII2．如图16-9所示，在铁环上用绝缘导线缠绕两个相同的线圈a和b．a、b串联后通入方向如图所示的电流I，一束电子从纸里经铁环中心射向纸外时，电子将（）A．向下偏转B．向上偏转C．向左偏转D．向右偏转图16-10IvⅠⅡ　　3．如图16-10所示，在通电直导线下方，有一电子沿平行导线方向以速度v开始运动，则　（）　　A．将沿轨迹I运动，半径越来越小　　B．将沿轨迹I运动，半径越来越大　　C．将沿轨迹II运动，半径越来越小D．将沿轨迹II运动，半径越来越大图16-11abv2vB4．如图16-11所示，在垂直纸面向里的匀强磁场中，有a、b两个电子从同一处沿垂直磁感线方向开始运动，a的初速度为v，b的初速度为2v．则　（）　　A．a先回到出发点　　　B．b先回到出发点C．a、b同时回到出发点　D．不能确定图16-12yzxEBAyzxBEByzxEBCyzxEBD5．在如下匀强电场和匀强磁场共存的区域内，电子有可能沿x轴正方向做直线运动的是　()3/3　　6．在方向如图16-13所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则　()图16-13BEⅠⅡA．若v0＞E/B，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0B．若v0＞E/B，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0C．若v0＜E/B，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0D．若v0＜E/B，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0图16-14SB2P1P2P3P4B17．如图16-14所示为质谱仪测定带电粒子质量的装置的示意图．速度选择器（也称滤速器）中场强E的方向竖直向下，磁感应强度B1的方向垂直纸面向里，分离器中磁感应强度B2的方向垂直纸面向外．在S处有甲、乙、丙、丁四个一价正离子垂直于E和B1入射到速度选择器中，若m甲=m乙